DESCRIPCIÓN
Proporciona un entorno experimental con vacío, atmósfera controlada y alta temperatura.
Este sistema de crecimiento de CVD es adecuado para procesos de CVD, como recubrimiento de carburo de silicio, pruebas de conductividad de sustratos cerámicos, crecimiento controlado de nanoestructuras de ZnO y experimentos de sinterización en atmósfera MLCC.