DESCRIPCIÓN
Proporcione un entorno experimental con vacío, atmósfera controlable y alta temperatura, utilizado en semiconductores, nanotecnología, fibra de carbono y otros campos.
Este sistema de crecimiento de CVD es adecuado para procesos de CVD, como recubrimiento de carburo de silicio, pruebas de conductividad de sustratos cerámicos, crecimiento controlado de nanoestructuras de ZnO y experimentos de sinterización en atmósfera MLCC.